Infineon IQE013N04LM6 IQE013N04LM6CG
Для достижения наилучших характеристик на системном уровне от конструкций современных систем питания требуются высокие значения удельной мощности и малые размеры. Infineon Technologies решает эту проблему, уделяя повышенное внимание системным инновациям с усовершенствованиями на уровне компонентов. В дополнение к 25-вольтовому устройству, представленному в феврале, теперь Infineon выводит на рынок 40-вольтовый низковольтный силовой MOSFET IQE013N04LM6 семейства OptiMOS. Прибор упаковывается в корпус Source-Down (SD) PQFN с размерами 3.3 мм × 3.3 мм. Новый MOSFET предназначен, в первую очередь, для импульсных источников питания серверного и телекоммуникационного оборудования, объединения силовых цепей по схеме «ИЛИ», а также для защиты аккумуляторов, для электроинструментов и зарядных приложений.
Особенностью корпусов SD является то, что кремниевый кристалл в них перевернут вверх ногами. При этом теплоотводящее основание, которое подключается к печатной плате, находится под потенциалом истока, а не стока, как в обычных конструкциях корпусов. В конечном счете, такой вариант может позволить значительно, до 25%, снизить сопротивление открытого канала по сравнению с существующей технологией. Также, по сравнению с традиционными корпусами PQFN, значительно снижено тепловое сопротивление между переходом и корпусом. Транзисторы OptiMOS в корпусах SD могут выдерживать непрерывные токи до 194 А. Кроме того, оптимизированные возможности разводки печатной платы и более эффективное использование ее площади обеспечивают бóльшую гибкость выбора конструктивных решений наряду с высочайшим уровнем характеристик.
Доступность
Новые MOSFET предлагаются в двух версиях – стандартной (SD) и Center-Gate. Расположение контактов в варианте Center-Gate (IQE013N04LM6CG) оптимизировано для параллельного включения нескольких устройств. Оба варианта транзисторов выпускаются в корпусах PQFN размером 3.3 мм × 3.3 мм и уже доступны для заказа.
Перевод: AlexAAN по заказу РадиоЛоцман
На английском языке: Infineon adds 40 V device in PQFN to its OptiMOS Source-Down power MOSFET family
Источник: rlocman.ru
